同步整流驱动波形的死区时间是44ns ,在系统开关测试过程中出现MOS烧坏的现象，做过的测试有（每种均测试50次）1、非同步整流情况下继电器常开系统进行开关测试时无烧管现象2、非同步整流情况下系统进行开关测试（此时继电器有程序控制，调整到50V再打开继电器），无烧管现象3、同步整流情况下继电器常开，系统进行开关测试有烧管现象4、同步整流情况下系统进行开关测试（此时继电器由程序控制，调整到50V再打开继电器），烧管结论：开关继电器不会导致烧管，只有在同步整流下开关MOS才会烧管、猜测：mos开关过程中mos的峰值电流过大导致烧管请问buck电路MOS的峰值电流如何计算，可以给出详细的计算过程吗，谢谢！ 两管，烧哪个？管子的峰值电流就是电感的峰值电流电感的峰值电流与控制模式有关CCM模式的峰值电流与电流纹波系数有关
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两个管子都烧
楼主好！看到你那个上管有个10K电阻，感觉你的驱动就有很大问题。

最好使用半桥驱动芯片。

是半桥驱动，我这个问题暂时得到解决了，用半桥驱动的死区不准，在开关MOS导致烧板，现在程序加入死区，测试100次已经没有烧板现象了
有电感，怎么会开关过程中峰值电流过大呢？应该是负载突变造成尖峰过大烧毁MOS管，加点吸收或者降低开通速度看看。

你假设他没留气隙
假设没留气息，跟后面继电器投切有什么关系？
大佬，请问这个电源我用同样的死区测试400W放电，负载接的是负载仪，板子一直烧（负载仪是电阻模式），而接大功率电阻就不烧。

请问负载仪在做负载时是有什么危害吗？我PWM是逐渐增加的！
死区一样，引线一样，PWM逐渐增加一样，再试试
可能是MOS的耐压不够建议你选用200V以上的MOS试试
耐压余量足够了

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