画一个4000W逆变器的PCB板，前级DC-DC推挽升压部分的驱动单元到MOS管功率接地不知如何接法好。

电路由两个升压高频变压器和8个MOS管组成。

由于考虑8个功率管一字布置，如果集中驱动单元的话驱动到MOS管G极的走线较长，而且是大电流MOS管G极电容很大，所以想把驱动IC靠近各组MOS管就近布置。

我参考了一些集中布置驱动的多数是一点接到功率地的大概中间位置。

但我的驱动单元是分布式放置，不知是集中一点接功率地好还是接地也为分布式好。

请高手给点意见参考。

多谢！说明图中并不是实际走线图，只是为了便于表达的示意图。

又分布又集中为好分布：每个MOS的GS单独走平行线，8只MOS共（16根分为）8对平行线集中：8根驱动线在芯片GAT脚集中，8根地线在芯片Cvcc-集中，此外芯片GND和功率地（从拓扑接地中心）也单独在此点集中 ---- 这样连接到功率地
李工您好！你的意思是两个图的接法都用？还是要改变驱动IC部份的走线？
你这个MOS的Ciss达到了10ns， 要8只驱动芯片就近布置，各走各的，至少也要4只
是的，现在拟用4个MIC4422，每个的驱动电流是9A。

驱动2个管是足够了。

但现在的问题是如果G极电阻用10欧的话，上升时间达420nS。

要想把上升时间调到300nS左右，则G极电阻要6.8欧或更小一点。

不知你们在用这类大输入电容的MOS管时，G极电阻用多少呢？用小了安全吗？
如果是断续模式，上升沿长一点无所谓，一般都会在电阻R1上并一个二极管控制上升沿不要太快，而下降沿一般要求尽可能快，但电流最好不要超过驱动芯片允许值，必要时串个电阻R2限制。

Rg电路引起的安全性来至于Rg电阻本身的热功率和开关动作的di/dt极限，你这个案例应该是前者。

建议你直接按极限参数设计这个电路：R = 12V/4.5A = 2.7RP = 12V*12V*10nF*37KHz = 53mW至于烧管子的问题，应该是布局不当引起的，不仅驱动电路，主拓扑也有布局不当的问题，8只MOS并联一字排开多半会出事。

分散单元驱动G与对应功率管G为最佳。

主要是地线的接法的问题。

接地，就是一个回路单元一个地，分主次供电源地，最后一点接地。

驱动芯片的地，应该最近的路径连接到它要驱动的MOS的S脚，这样驱动路径最短，驱动效果最好，也就是第二个图对驱动回路来说，是最好的。

谢谢你提供的意见。

就驱动而言，图2好。

MOS管是8个IRFP4668，这个管比较难驱动，所以不得不考虑的多一些。

本来是不需要那么多驱动芯片的，但为了让驱动IC尽量靠近MOS管，驱动IC用得多了一点，这就造成了接地的问题不知如何处理。

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