增强型GaN器件的正向耐压VDS为650V，由于其器件DGS的对称，其关断后VSD是否也可以耐压650V？ 由于太贵，舍不得尝试，datasheet只是说可以反向导通，但也没说反向耐压多少。

如果反向耐压很低，反向导通又有什么用呢？ 最佳答案 joezzhang 查看完整内容 你可以理解为GaN是一种特殊的开关器件，Vgs=3.5V 或者 Vgd=3.5V 都可以导通。

如果驱动信号为Vgs=3.5V，则Rds_on决定导通损耗；如果驱动信号Vgs=xV （x<=0)， 则Vsd=(3.5-x)V决定反向导通时的通态损耗。

负压关断的时候，反向导通损耗更大；即使是0V关断，也比普通MOSFET的体二极管通态损耗高。

无驱动时的反向开通只发生在死区时间内，因为GaN的开关速度很快，那么只要减小死区时间(650V的管子不大于60ns，100V的管子不大于15n ... 关注中反接的话驱动如何解决？
驱动要给VGD驱动吧
反向导通就是体二极管的意思，怎么没用？
确实！
听说GaN没体二极管。

所以用在次级SR时还要另并肖特基才行
是没有体二极管次级不用并
没有体二极管，但有体二极管的意思
现有SR IC大都靠检测负Vds来开启SR mos，若如你所说直接用GaN替换SR Mos即可，是吗？
没用过负压检测的芯片，你说的是谷底检测吧
不是。

我说的是次级的同步整流IC.谷底检测IC通常是初级PWM IC.
这贴讨论的是同步整流？650V耐压，要同步整流也是图腾柱PFC，一般直接驱动，也无需检测负压。

因为GaN也有低压的，所以一时好奇将GaN替换次级同步Mos时，要怎么才能驱动呢？

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