碳化硅 mos管的损耗更小，功耗更小 ，是因为导通电阻小吗？ 开关速度更快
开关的速度变快，因此减小了电压电流的乘积损害，目的是为了能够开关频率进一步提高，减小磁性器件的体积，但对驱动电路的走线要求更高，否则得不偿失。

碳化硅由于工艺的提升，导通电阻是会小一点。

从系统角度来讲，主要是提高了开关频率，进而提高了效率
因为贵，所以损耗小，所谓贵有贵的道理，就是这样来的112330zif4fp5tut7gz7g3.gif (1.53 KB, 下载次数: 21)下载附件2020-12-22 15:23 上传
首先你先弄明白mosfet 的损耗又哪几部分？导通损耗，COSS 损耗， 开通损耗，关段损耗，驱动损耗。

1： 驱动损耗可以忽略不记，比较小，2： 导通损耗直接与RDSon有关，导通电阻小的话，该部分损耗较小，因为宽禁带的关系，同级别的SIC器件RDSON 明显比硅器件小3： COSS 损耗在高压硬开关的时候，这部分损耗比较可观的，这个是由器件的COSS 节电容充电放电引起的，SIC 器件COSS比较小，这个损耗一下子就降下来了。

4： 开通损耗和关断损耗，如果是软开关的话，这个SI 和SIC 是没有区别的，当然硬开关的话，就要计算电压乘电流乘交叠时间乘开关频率，所以这部分损耗如果你上面四个参数没有变的话，硅器件换成SIC 的话，也是不会减少了。

所以如果是硬开关，SIC 器件损耗更小一般是在导通损耗，coss损耗，开通损耗，关段损耗，如果是软开关，SIC器件损耗更小就一般是在导通损耗了。

说的在理
说的非常好，很明白
MOS的损耗分导通损耗，开关损耗等。

这个取决于实际使用时的情况
这只能算是一个方面，总损耗=开通损耗+导通损耗+关断损耗，开关速度也会影响
国产碳化硅MOS管，功率模块

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