正在做Si IGBT和SiC MOSFET并联开关，SiC MOSFET滞后于Si IGBT 关断。

但在SiC MOSFET关断时，已关断的Si IGBT有一个过冲电流和电压尖峰，如何解决这一问题？ 过冲电流靠二极管反向恢复解决，电压尖峰靠三圈两地解决
Si IGBT有体二极管，还有Si IGBT关断后，SiC MOSFET关断时，已关断的Si IGBT产生过冲电流。

难道在外部反并联一个快恢复二极管？
如果已关断的MOSFET真的产生了过冲电流，那也是它的体二极管反向恢复在过电流，因为你只能关断MOSET，不能关断体二极管。

IGBT其实没有体二极管，但多数有内置二极管，同解。

对于少数没有内置二极管（或者内置二极管参数不满足应用需要）的IGBT，才需可能需要在外反并一个（不一定非得快恢复）二极管。

刻意调慢速度行不行呢？比如说原本上升下降100ns，有冒尖，现在刻意调成200ns，可以改变问题吗?
你这种情况或许可以，但可能付出惨重代价

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