这个问题困扰我很久了，一直不是很了解MOS体内二极管的反向恢复，以下面两个应用为例：1.PFC的MOS：看到很多案例这个地方用的MOS，其体内二极管的trr都是比较长的（与LLC所用的相比），有的甚至500ns或者更长，好像这个地方的应用根本不用考虑这个trr。

例如，在MOS开通过程中，PFC电感储能，电流线性上升，流过MOS，当驱动变为低电平时，MOS由开通变为关断，此时DS两端立即变为400V，这个400V瞬间作用在MOS体内二极管两端，是不是会产生一个反向恢复？按照这样是不是应该选择一个trr小一点的MOS？2.LLC的MOS：以100k谐振频率为例，看到一些案例采用的MOS trr大概为150~250ns不等，但是在实际工况中，只要原边工作与正常状态ZVS，那么好像全过程根本不用考虑这个MOS的trr，不涉及这个工况。

那会在什么状态之下这个LLC的MOS才涉及trr带来的影响呢？ 这里面都有Trr这个概念，由以逆变器最明显。

对于Mos反向导通时(即体二极管正向导通）的应用，才需考虑Trr.PFC只是单向导通，所以不用考虑T'r'r
那在LLC里面，什么样的工况下要考虑这个MOS的trr？
Mos反向导通时(即体二极管正向导通）的应用，都需考虑Trr，
现在新出的芯片 LLC的MOS 不需要考量Trr了，芯片是自适应的。

芯片datasheet有讲吗？请问如何实现自适应的?
规格书上有的，TEA1716T TEA2016T TEA19161等
和工频整流管（比如4007）差不多。

李版，此话怎么理解呢？
MOS的反向恢复如何看待？把它当成一个工频整流二极管（的反向恢复）看待，这话没毛病哈
PFC一般都选取很小反向恢复的MOS吧，不然损耗大，而且电磁干扰很大 反而LLC可以选择反向恢复大一点的MOS，因为软开关

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