碳化硅mos管相比硅mos管的优势体现在哪？还有什么缺陷？ 由于材质和工艺的改进，高电压应用的碳化硅MOS的导通电阻较低
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击穿电压高，开关频率高，耐高温，开关损耗低；价格较昂贵，导通电阻随温度升高而增大
在高压模式下 碳化硅管的导通压降更小 从而其功耗也就越小 利于长时间稳定工作
这样问毫无意义。

它们都身兼数职，不同用途差异非常大。

一般对开关电源讲，碳化硅MOSFET要比硅MOSFET好十倍。

缺点也很明显，贵！但在合适系统；系统成本会下降。

对于生手，碳化硅MOSFET的优点是致命的。

”对于生手，碳化硅MOSFET的优点是致命的。

”没用过，想搞清楚这点，大师讲讲吧。

比如速度。

碳化硅要快的多，也因此开关损耗低了大半，对电源；显然是优势。

但是；高速开关意味着器件高频特性甚好，稍有寄生电感电容就会自激而导致烧毁。

因此；现在追求的，真得到时未必能用好。

导通电阻，开关特性都很好，在高压产品中碳化硅应用很不错，可以替代IGBT。

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