在大功率逆变器设计中，如果需要并联MOSFET使用，请问都需要注意MOSFET的哪些参数？1. RDS_ON2. VDS3. Id 1、驱动防自激；2、散热均衡；3、驱动同步性；4、主电路线路的阻抗均衡。

驱动信号要同步，周边电路布局及散热一样。

不并联也需要注意这些参数
内阻最为关键，MOS本体的参数有差异，导致发热不一样
这些参数都需要注意降额使用
现在技术和产品，已经达到单管5000A能力。

从技术层面，需要并联的机会极少。

两个MOSFET保持一致性，物料规格以及布局走线，这样尽可能的保持两个MOSEFT的过流能力是一致的。

并联Vth 也很重要。

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