如图：M1增强型NMOS，G极上拉到输入电压，稳压管使G极电压稳定在固定值，S极为输出极。

问：这个模型如何保证S极会有稳定的输出电压？如果NMOS工作在可变电阻区，条件VGS>VGS（th），VDS st.you 查看完整内容 一开始，MOS的 S电位是0V 但是G的电位是稳压管稳压值，这样MOS就能形成导通条件了。

后面MOS导通后，S电位上升，但会维持在某个值，这个值由GS&ID曲线决定。

关注中，没用过。

不知Mos做LDO有什么好处？Vgs=24V-Vzenner, Vgs好处之一，起到降压作用时降低电源成本。

高压的LDO或者时DCDC的效率或者成本都不容乐观。

其他还不知道...实际这个模型不能理解的是源极浮空，GS的电压形成回路是啥？NMOS的高端驱动一直有点迷糊。

这种管子做过特殊处理，稳压范围小吧。

发热厉不厉害？
很一般的mosfet，选个内阻小点的mosfet。

没温度测试看起来。

就是个跟随器，S电压没法保证稳定。

结果时，S的电压相当稳定。

跟随器？能不能详细描述下。

这种MOS的源极跟随器比用三极管的射极跟随器输出电压变化要大得多。

这就是类似于射极跟随器，如果想温漂性能好一点，把稳压管换成TL431
M1在这里应当是起到预稳压的作用，输出电压大约等于VDZ - V(Gth)，从后面有三端稳压器的情况来看，这里不需要预稳压电路有多高的精度。

以前在一张BMS板子上见到过这个，后级负载一般都挺小的，可以通过M1压降和流过的电流简单计算一下功耗，选择合适的管子
结果和你的结论是一致，但是不能理解的是源极S接后端的LDO，那NMOS的沟通形成条件怎么来的?之前接触的NMOS驱动一般是源极(S)接地,栅极(G)给到信号后，GS之间会有回路的存在形成固定电压。

但是这个电路中，无论是电压还是电流GS的回路是怎么形成的DS导通或者是半导通状态？
一开始，MOS的 S电位是0V但是G的电位是稳压管稳压值，这样MOS就能形成导通条件了。

后面MOS导通后，S电位上升，但会维持在某个值，这个值由GS&ID曲线决定。

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